МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВівСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
Розрахунок і проектування Напівпровідникових діодів і біполярних транзисторів Методичні вказівки до виконання курсової роботи з курсу “Твердотільна електроніка” для студентів базового напрямку 6.0908 “Електроніка” Затверджено на засіданні кафедри напівпровідникової електроніки протокол № від 2004 р. Львів-2004 Розрахунок і проектування напівпровідникових діодів і біполярних транзисторів: Методичні вказівки до виконання курсової роботи з курсу “Твердотільна електроніка” для студентів базового напрямку 6.0908 “Електроніка” – Львів: Видавництво національного університету “ Львівська політехніка” 2004. – с. Укладач Дружинін А.О., д-р тех. наук, професор Відповідальний за випуск Заячук Д.М., ,д.ф.-м.н., професор Рецензенти Буджак Я.С., д.ф.-м.н., професор  З М І С Т  TOC \o "1-1" \h \z \t "Заголовок 2;2;Заголовок 3;3;Заголовок 3 + полужирный;3"  HYPERLINK \l "_Toc85597841" В С Т У П  PAGEREF _Toc85597841 \h 4  HYPERLINK \l "_Toc85597842" 1.Основні вимоги до оформлення пояснювальної записки з курсовоЇ роботи  PAGEREF _Toc85597842 \h 5  HYPERLINK \l "_Toc85597843" 2. Розрахунок НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ДІОДА В СТАТИЧНОМУ І ДИНАМІЧНОМУ РЕЖИМАХ  PAGEREF _Toc85597843 \h 7  HYPERLINK \l "_Toc85597844" 2.1. Завдання до курсової роботи з розрахунку напівпровідникового діода в статичному і динамічному режимах  PAGEREF _Toc85597844 \h 7  HYPERLINK \l "_Toc85597845" 2.1.1. Структура напівпровідникового діода  PAGEREF _Toc85597845 \h 7  HYPERLINK \l "_Toc85597847" 2.1.2. Конструктивні особливості  PAGEREF _Toc85597847 \h 8  HYPERLINK \l "_Toc85597848" 2.1.3. Геометричні розміри елементів діода  PAGEREF _Toc85597848 \h 8  HYPERLINK \l "_Toc85597849" 2.1.4. Електрофізичні параметри елементів приладу  PAGEREF _Toc85597849 \h 8  HYPERLINK \l "_Toc85597850" 2.1.5. В процесі розрахунку необхідно визначити:  PAGEREF _Toc85597850 \h 8 2.2. Розрахунок концентрації рівноважних носіїв заряду і енергії Фермі для p- і n- областей p-n-переходу………………………………………………………………………………..9 2.3. Розрахунок параметрів p-n-переходу напівпровідникового діода………………………..10 2.3.1. Розрахунок контактної різниці потенціалів……………………………………………10 2.3.2. Розрахунок ширини p-n-переходу і бар’єрної ємності………………………………...11 2.3.3. Розрахунок розподілу концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в областях р-n-переходу………………………………………………………………...………….12 2.4. Розрахунок напруги пробою p-n-переходу…………………………………………………..12 2.5.Розрахунок вольт-амперної характеристики напівпровідникового діода……………….13 2.6. Розрахунок дифузійної ємності діода…………………………………………………………15 2.7. Еквівалентна схема діода………………………………………………………………………16 2.8. Перемикання діода в схемі з генератором струму………………………………………….16  HYPERLINK \l "_Toc85597851" Основні фізичні сталі  PAGEREF _Toc85597851 \h 18  HYPERLINK \l "_Toc85597852" Параметри основних напівпровідникових матеріалів  PAGEREF _Toc85597852 \h 19  HYPERLINK \l "_Toc85597853" СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ  PAGEREF _Toc85597853 \h 20 В С Т У П Курсова робота з курсу “Твердотільна електроніка” виконується студентами ІІІ-го курсу базового напрямку 6.0908 “Електроніка” на протязі V-го семестру. Виконання курсової роботи ставить своєю метою закріпити і розширити теоретичні зн...